辐照交联电缆料造粒机_蚌埠佳德智能装备科技有限公司
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静电屏蔽的作用是使电场终于屏蔽体的金属表面上，干扰和被干扰是一个相对的统有电场势必要产生相对的磁场，磁场的变化就有电场的存在，减少磁场的干扰也就是将电场或磁场产生的电荷导入大地。图1、图2是产生干扰和消除干扰的说明。静电场产生电场静电屏蔽能产生的效果必要条件是接地，其效果的大小与接地的质量有关化学交联电缆料造粒机 http://jd207.bsjdl.com/sell/index.php?itemid=12673。制造静电屏蔽体可以采用任何金属，而且对于屏蔽体的厚度及导电率均无任何要求。静磁屏蔽体的作用是使磁场限制与屏蔽内，它是强磁材制成的。由于屏蔽体的磁导系数很高，屏蔽体的磁阻很小，因而干扰源产生的磁通就大部分被限制于强磁屏蔽中，而只有少部分进入被屏蔽体的空间（如图3所示）。屏蔽体的导磁系数和厚度越大，导磁效果越好，此外屏蔽效果还与屏蔽体尺寸有关，磁屏蔽体半径越大，则屏蔽效果越差。静电屏蔽体和静磁屏蔽体仅在低频是有效。化学交联电缆料造粒机 http://jd207.bsjdl.com/sell/index.php?itemid=12673
在频率增高后，屏蔽体内涡流作用加大，静磁屏蔽体就会转入电磁屏蔽体的工作状态。为防止交变电磁场的作用，需要采用电磁屏蔽体。电磁波在屏蔽体表面的反射现象以及屏蔽体金属厚度内的高频能量衰减是电磁屏蔽体的作用基础。电磁波通过屏蔽体的过程与能量沿回路传输的过程是相类似的。在研究屏蔽体的时候，所研究的不是能量沿线路的移动，而是垂直于线路。由于干扰源至屏蔽体，再穿过屏蔽体至屏蔽体外空间的能量转移。电磁能W到达屏蔽体的界面上要有W1的能量反射回来（如图4所示），能量的反射是由于介质的波阻抗和用以制造屏蔽体的金属的波阻抗不一致而引起的。波阻抗相差越大，则由反射引起的屏蔽效应越强，能量在穿过屏蔽体的过程中损耗掉W2。屏蔽体内的能量损耗是由于金属内涡流的热消耗引起的，频率越高及屏蔽越厚，则屏蔽衰减越大。当能量穿过第二个界面既屏蔽体和介质之间，又产生了能量的反射W3，后只剩下一部分能量到达被屏蔽的空间。能量穿过屏蔽体的结果已由W减为Wp 。
静电屏蔽的作用是使电场终于屏蔽体的金属表面上，干扰和被干扰是一个相对的统有电场势必要产生相对的磁场，磁场的变化就有电场的存在，减少磁场的干扰也就是将电场或磁场产生的电荷导入大地。图1、图2是产生干扰和消除干扰的说明。静电场产生电场静电屏蔽能产生的效果必要条件是接地，其效果的大小与接地的质量有关化学交联电缆料造粒机 http://jd207.bsjdl.com/sell/index.php?itemid=12673。制造静电屏蔽体可以采用任何金属，而且对于屏蔽体的厚度及导电率均无任何要求。静磁屏蔽体的作用是使磁场限制与屏蔽内，它是强磁材制成的。由于屏蔽体的磁导系数很高，屏蔽体的磁阻很小，因而干扰源产生的磁通就大部分被限制于强磁屏蔽中，而只有少部分进入被屏蔽体的空间（如图3所示）。屏蔽体的导磁系数和厚度越大，导磁效果越好，此外屏蔽效果还与屏蔽体尺寸有关，磁屏蔽体半径越大，则屏蔽效果越差。静电屏蔽体和静磁屏蔽体仅在低频是有效。化学交联电缆料造粒机 http://jd207.bsjdl.com/sell/index.php?itemid=12673在频率增高后，屏蔽体内涡流作用加大，静磁屏蔽体就会转入电磁屏蔽体的工作状态。为防止交变电磁场的作用，需要采用电磁屏蔽体。电磁波在屏蔽体表面的反射现象以及屏蔽体金属厚度内的高频能量衰减是电磁屏蔽体的作用基础。电磁波通过屏蔽体的过程与能量沿回路传输的过程是相类似的。在研究屏蔽体的时候，所研究的不是能量沿线路的移动，而是垂直于线路。由于干扰源至屏蔽体，再穿过屏蔽体至屏蔽体外空间的能量转移。电磁能W到达屏蔽体的界面上要有W1的能量反射回来（如图4所示），能量的反射是由于介质的波阻抗和用以制造屏蔽体的金属的波阻抗不一致而引起的。波阻抗相差越大，则由反射引起的屏蔽效应越强，能量在穿过屏蔽体的过程中损耗掉W2。屏蔽体内的能量损耗是由于金属内涡流的热消耗引起的，频率越高及屏蔽越厚，则屏蔽衰减越大。当能量穿过第二个界面既屏蔽体和介质之间，又产生了能量的反射W3，后只剩下一部分能量到达被屏蔽的空间。能量穿过屏蔽体的结果已由W减为Wp 。